ROM, RAM, FLASH闪存, SSD, DDR3/4， eMMC, UFS, SD卡, TF卡, 这些名词不仅仅在手机和电脑等数码产品的参数中经常出现，在高精度定位产品中也有大量使用。当多个“存储”单元集成在一个设备中时，容易使人混淆其作用和用法。那么究竟该如何区分呢？本文这里做一下简单梳理，以供参考。
首先从内存的概念开始。从功能上分，内存一般有两种：RAM、ROM。上图为存储器的一般分类。
关于RAM
RAM，全称Random Access Memory，意思是随机存取存储器，也就是运行内存，储存的是软件运行时和运行之后的相关数据。RAM越大，手机运行就越快，但是其作为随机存取内存，在关机之后RAM存的数据并不会保存。在电脑中，主要是内存条，也被称为主存，关机断电丢数据。
另外还有一种是CACHE，即高速缓存，是速度特别快的RAM，一般是静态RAM（主内存是动态RAM），比动态RAM速度快得多，是用来弥补主内存速度不够快而设定的。
——DRAM
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）是最为常见的系统内存。我们使用的电脑和手机的运行内存都是DRAM。
DRAM使用电容存储，只能将数据保持很短的时间。因此必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（数据的存储，请参考数据存储模型。）我们知道，电容中的电荷很容易变化，所以随着时间推移，电容中的电荷数会增加或减少，为了确保数据不会丢失，DRAM每隔一段时间就会给电容刷新（充电或放电）。（动态：定时刷新数据。）
（1）DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：为双信道同步动态随机存取内存，是新一代的SDRAM技术。DDR内存芯片的数据预取宽度（Prefetch）为2 bit（SDRAM的两倍）。
（2）DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍）。
（3）DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。
（4）DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。DDR4内存的针脚从DDR3的240个提高到了284个，防呆缺口也与DDR3的位置不同，还有一点改变就是DDR4的金手指是中间高两侧低有轻微的曲线，而之前的内存金手指都是平直的，DDR4既在保持与DIMM插槽有足够的信号接触面积，也能在移除内存的时候比DDR3更加轻松。
（5）DDR5等新一代产品陆续推出。
——SRAM
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器），它是一种具有静止存取功能的内存，其内部机构比DRAM复杂，可以做到不刷新电路就能保存它内部存储的数据。（静态：不需要刷新。）
对比DRAM的优缺点：
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
——PSRAM
随着物联网的发展，高精度定位应用于民用等中低端市场，PSRAM获得了更多的应用，由于PSRAM以其小封装、大容量、低成本，开始显露器独特优势。
PSRAM全称Pseudo static random access memory，指伪静态随机存储器。它的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类SRAM的接口又可实现较大的存储容量。
关于ROM
ROM，全称Read Only Memory，叫做只读内存，也就是存储内存。电脑的BIOS就是固化在主板的BIOS ROM芯片里面的，电脑硬盘的也是ROM，放系统、用户文件等。现在提到手机的存储容量时一般指的是ROM容量，一部分是系统占用的，另一部分是用户可自由支配的存储空间，能存放手机软件、用户文件，如：照片、视频等。
ROM按其内容写入方式，一般分为3种：固定内容ROM；可一次编程PROM；可擦除ROM，又分为EPROM（紫外线擦除电写入）和EEPROM（电擦除电写入）等类型。
——固定内容ROM
是采用掩模工艺制作的，其内容在出厂时已按要求固定，用户无法修改。由于固定ROM所存信息不能修改，断电后信息不消失，所以常用来存储固定的程序和数据。如在计算机中，用来存放监控、管理等专用程序。
——PROM(Programmable ROM)
PROM是可一次编程ROM。这种存储器在出厂时未存入数据信息。单元可视为全“0”或全“1”，用户可按设计要求将所需存入的数码“一次性地写入”，一旦写入后就不能再改变了。PROM在每一个存储单元中都接有快速熔断丝，在用户写入数据前，各存储单元相当于存入“1”。写入数据时，将应该存“0”的单元，通以足够大的电流脉冲将熔丝烧断即可。
——EPROM(ErasablePro-grammable Read-only Memory)
为了克服PROM只能写入一次的缺点，出现了可多次擦除和编程的存储器。EPROM是可擦除可编程的ROM，电写入紫外线擦除的存储器。
EPROM内容的改写不像RAM那么容易，在使用过程中，EPROM的内容是不能擦除重写的，所以仍属于只读存储器。要想改写EPROM中的内容，必须将芯片从电路板上拔下，将存储器上面的一块石英玻璃窗口对准紫外灯光照射数分钟，使存储的数据消失。擦除时间大约为10min~30min，视型号不同而异。为便于擦除操作，在器件外壳上装有透明的石英盖板，便于紫外线通过。在写好数据以后应使用不透明的纸将石英盖板遮蔽，以防止数据丢失。数据的写入可用软件编程，生成电脉冲来实现。
——E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)
E2PROM是一种电写入电擦除的只读存储器，擦除时不需要紫外线，只要用加入10ms、20V左右的电脉冲即可完成擦除操作。擦除操作实际上是对E2PROM进行写“1”操作，全部存储单元均写为“1”状态，编程时只要对相关部分写为“0”即可。
自比亚迪推出“刀片电池”之后，凭借着将“自燃从电动车中抹去”这一概念，受到不少新能源车主的追捧。——Flash Memory快闪存储器（闪存）一般讲的Flash也是一种ROM，是EEPROM的变种，是新一代的EEPROM，它具有EEPROM擦除的快速性，结构又有所简化，进一步提高了集成度和可靠性，从而降低了成本。目前除了各种快闪存储器的产品面世外，快闪存储器还向其他应用领域拓展，例如已经应用于计算机上的可移动磁盘，以代替软磁盘。
Flash又分NAND Flash和NOR Flash，NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。
Nor Flash：主要用来存储代码，重要数据，甚至执行片上程序
优点：具有很好的读写性能和随机访问性能，因此它先得到广泛的应用；
缺点：单片容量较小且写入速度较慢，决定了其应用范围较窄。
NAND Flash：主要用在大容量存储场合
优点：优秀的读写性能、较大的存储容量和性价比，因此在大容量存储领域得到了广泛的应用；
缺点：不具备随机访问性能。
NOR FLASH 和 NAND FLASH 的比较如表 1 所示。
表 1：NOR FLASH 和 NAND FLASH 的比较
特点
NOR FLASH
NAND FLASH
传输速率
很高
较低
写入和擦除速度
较低
较高
读速度
较高
较低
写入/擦除操作速度
以 64~128KB 的块进行，时间为 5s
8~32KB 的块，只需要 4ms
外部接口
使用复杂的 I/O 引脚来串行的存取数据
价格
较高
较低
单片容量
1~16MB
8~128MB
用途
代码存储
数据存储，如 CF 卡、MMC 卡等
写操作
以字节或字为单位
以页面为基础单位
SSD（Solid State Drives）是固态硬盘，是由闪存作为存储介质的硬盘方案。现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料，所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。SSD里面会用到很多闪存的，要根据其自身容量来定，比如一块64G的固盘，可以选择16 张 4G的flash，也可以选择4张16G的flash，具体如何选择要根据线路设计及成本考量。嵌入式产品中包括数码相机，移动设备的内存卡、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等也是用的NAND Flash芯片。
SSD固态硬盘，为了达到高并行高性能的要求，有多个NADN Flash 芯片，这样就可以在每个芯片上进行相互独立的读写操作，以并行性来提高硬盘吞吐量，还可以增加冗余备份。
——几种“内存卡”
SD卡：Secure Digital Memory Card/SD card
SD卡是一种基于半导体快闪存储器的新一代高速存储设备。SD存储卡的技术是从MMC卡( MultiMedia Card格式上发展而来，在兼容SD存储卡基础上发展了SDIO( SD Input/ Output)卡，此兼容性包括机械，电子，电力，信号和软件，通常将SD、SDIO卡俗称SD存储卡。采用的也是NAND Flash芯片作为存储核心。用在数码产品存储照片、音乐、视频等等。
TF卡：Trans-flash Card
原本这种记忆卡称为T-Flash，后改称为Trans Flash；而重新命名为Micro SD的原因是因为被SD协会 (SDA) 采立，Micro SD卡是其最新的名字。采用的也是NAND Flash芯片作为存储核心。以前手机扩展内存用的那种黑黑的小内存卡。
MMC卡：MultiMediaCard
即多媒体卡，也是一种非易失性存储器件，体积小巧，容量大，耗电量低，传输速度快。MMC共有7个pin,分为两种模式，分别为MMC模式和SPI模式。MMC卡时钟频率是20MHz,比SD卡少两个PIN,只有一位数据带宽，所以最大传输速率为2.5MHz。MMC也是一种接口协定（一种卡式），能符合这接口的内存器都可称作mmc储存体（mmc卡）。同为闪存卡。
eMMC：不是卡，而是芯片
手机等小型化产品为了节省空间和功耗，ROM一般采用eMMC 和 UFS，他们也是采用NADN Flash 芯片，与其他功能封装在一起形成的，但远远没有SSD那么土豪，有那么多个，eMMC 和 UFS一般只有一片或很少Flash，小巧使其面向的是移动端、嵌入式设备。
总结
一般手机的ROM类型之前多用的eMMC，现在主要是UFS，仍习惯直接叫ROM。在嵌入产品中，例如高精度定位产品中ROM一般都是FLASH，RAM则是指的运行内存。
在具体应用中，由于FLASH读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据，RAM则运行过程中的临时数据。例如司南导航自研高精度定位Quantum III SoC芯片（K8系列产品）选择将编译过的固件程序就烧写到FLASH里，程序的具体执行及临时数据则放在SRAM中。
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